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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-262-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	55 V
Id-连续漏极电流	110 A
Rds On-漏源导通电阻	8.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压	15 V
Qg-栅极电荷	45 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	203 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
高度	9.4 mm
长度	10.3 mm
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel TrenchMOS Logic Level FET
宽度	4.5 mm
商标	Nexperia
下降时间	86 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	123 ns
工厂包装数量	50
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	131 ns
典型接通延迟时间	29 ns
单位重量	2.387 g

商品其它信息

优势价格，BUK9E08-55B,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI7145DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥17.5941 10:¥14.6787 100:¥11.3678 500:¥9.9101 1,000:¥8.2264 3,000:¥8.2264	参考库存:7374
IPD90N03S4L-02	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2	1:¥12.9046 10:¥10.9836 100:¥8.7575 500:¥7.684 2,500:¥5.9438 5,000:查看	参考库存:6567
NVD5890NT4G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI	1:¥14.5205 10:¥12.2944 100:¥9.831 500:¥8.6106 2,500:¥6.6444 5,000:查看	参考库存:5956
MRF150	MACOM	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB	1:¥376.742 10:¥352.2323	参考库存:4430
TK17E80W,S1X	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W	1:¥32.2728 10:¥25.9674 100:¥23.6622 250:¥21.357	参考库存:4074