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晶体管

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FF200R12KE3

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数量单价合计
1
¥867.1394
867.1394
5
¥851.229
4256.145
10
¥812.8881
8128.881
25
¥785.8472
19646.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.05 kW
封装 / 箱体
IS5a ( 62 mm )-7
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF200R12KE3HOSA1 SP000100735
商品其它信息
优势价格,FF200R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 2.6W
1:¥8.5315
10:¥7.232
100:¥5.5596
500:¥4.9155
1,000:¥3.8759
2,500:¥3.8759
参考库存:6030
晶体管
MOSFET 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified
1:¥12.2944
10:¥11.526
100:¥9.0626
500:¥7.2094
2,500:¥5.1415
5,000:查看
参考库存:9876
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:12754
晶体管
MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET
1:¥12.5995
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.0625
2,000:¥5.4466
4,000:查看
参考库存:5889
晶体管
MOSFET FET 100V 2.95 MOHM PQFN88
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
3,000:¥24.973
参考库存:4114
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