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晶体管

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FF200R12KE3

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数量单价合计
1
¥867.1394
867.1394
5
¥851.229
4256.145
10
¥812.8881
8128.881
25
¥785.8472
19646.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.05 kW
封装 / 箱体
IS5a ( 62 mm )-7
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF200R12KE3HOSA1 SP000100735
商品其它信息
优势价格,FF200R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
参考库存:6205
晶体管
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥12.5204
10:¥10.3734
100:¥8.0682
500:¥7.0625
2,000:¥5.4466
4,000:查看
参考库存:6576
晶体管
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥35.2673
10:¥29.9676
100:¥25.9674
250:¥24.6679
500:¥22.1254
参考库存:4622
晶体管
MOSFET Nch 250V 4A TO-252 (DPAK)
1:¥8.2942
10:¥7.0625
100:¥5.424
500:¥4.7912
2,500:¥4.7912
参考库存:6799
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
1:¥7.1416
10:¥5.6952
100:¥4.3166
500:¥3.5708
1,000:¥2.8589
3,000:¥2.5877
参考库存:7291
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