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晶体管
MRF13750H-1300参考图片

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MRF13750H-1300

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF13750H-1300/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1
¥7,538.23
7538.23
5
¥7,457.2429
37286.2145
10
¥7,377.1033
73771.033
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
20.5 dB
输出功率
750 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4
工作频率
700 MHz to 1300 MHz
系列
MRF13750H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935368922598
商品其它信息
优势价格,MRF13750H-1300的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SOT-23 0.6A 40V VCEO
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:21194
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED SWITCHING
1:¥44.7254
10:¥38.0358
100:¥32.9621
250:¥31.2784
500:¥28.0466
参考库存:4050
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:12389
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6275
1,000:¥6.3167
2,500:¥6.3167
参考库存:20875
晶体管
MOSFET Nch 30V Vds 0.5A 0.65Rds(on) 2Qg
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:6795
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