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晶体管
QPD1016参考图片

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QPD1016

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, DC-1.7 GHz, GaN RF Transistor
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1
¥4,425.984
4425.984
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
23.9 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
145 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V to 1.5 V
Id-连续漏极电流
70 A
输出功率
680 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
714 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-2
配置
Single
工作频率
DC to 1.7 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1016EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD1016的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.9946
10:¥3.9776
100:¥3.0171
500:¥2.486
3,000:¥1.808
6,000:查看
参考库存:15821
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:4124
晶体管
MOSFET N-Ch 12VDss 8Vgss P-Ch 8Vdss 8Vgss
10,000:¥2.4634
参考库存:15826
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
1:¥7.6049
10:¥6.0681
100:¥4.6669
500:¥4.1132
1,000:¥3.2544
参考库存:15829
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:4632
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