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晶体管
STGIB15CH60TS-L参考图片

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STGIB15CH60TS-L

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crct
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库存:4,718(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥111.9604
111.9604
10
¥102.9656
1029.656
25
¥98.6603
2466.5075
100
¥86.9083
8690.83
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
75 W
封装 / 箱体
SDIP2B-26L
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
高度
3.5 mm
长度
38 mm
工作温度范围
- 40 C to + 125 C
系列
STGIB15CH60TS-L
宽度
24 mm
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
156
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
商品其它信息
优势价格,STGIB15CH60TS-L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 20V 3A 8.5S
1:¥4.3053
10:¥3.6386
100:¥2.7346
500:¥2.0001
30,000:¥1.1526
48,000:查看
参考库存:12741
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
1:¥4.5313
10:¥3.8307
100:¥2.8702
500:¥2.1018
3,000:¥1.4351
6,000:查看
参考库存:10285
晶体管
达林顿晶体管 NPN 30V 500mA
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,000:¥0.99892
参考库存:5367
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.8817
参考库存:5098
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
参考库存:7369
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