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晶体管
STP60NF06L参考图片

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STP60NF06L

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
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库存：5,348(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.9837
12.9837
10
¥11.0627
110.627
100
¥8.8366
883.66
500
¥7.7631
3881.55
1,000
¥6.3845
6384.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP60NF06L
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
220 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
35 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，STP60NF06L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJH1BF6RDPQ-80#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥41.9569
10:¥37.4934
25:¥33.7305
50:¥32.1937
参考库存:45030
JANTXV2N3019S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥229.2883
5:¥217.7623
10:¥212.0784
25:¥194.8685
参考库存:45033
BUK625R2-30C,118
Nexperia
晶体管
MOSFET N-Chan 30V 90A
暂无价格
参考库存:45036
JANTX2N3716
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥550.7168
5:¥527.5066
10:¥518.2858
25:¥485.8548
参考库存:45039
BSP 60 H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1,000:¥1.2091
5,000:¥1.2091
参考库存:45042
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