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晶体管
STP60NF06L参考图片

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STP60NF06L

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
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库存：5,348(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.9837
12.9837
10
¥11.0627
110.627
100
¥8.8366
883.66
500
¥7.7631
3881.55
1,000
¥6.3845
6384.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP60NF06L
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
220 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
35 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，STP60NF06L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C426NWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥6.3732
10,000:¥6.1359
参考库存:27643
PTVA035002EV-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥2,586.3553
参考库存:27646
NVMFS5C450NLWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
5,000:¥2.8928
10,000:¥2.7798
25,000:¥2.7007
参考库存:27649
PXAD214218FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
参考库存:27652
APTGT300A120D3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,266.8656
参考库存:27655
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