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晶体管
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STGW40V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
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数量单价合计
1
¥33.9678
33.9678
10
¥28.8941
288.941
100
¥25.0521
2505.21
250
¥23.7413
5935.325
500
¥21.2892
10644.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格，STGW40V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMBFJ308,215
NXP Semiconductors
晶体管
JFET TAPE7 FET-RFSS
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1752
3,000:¥0.99892
参考库存:3732
TK56A12N1,S4X
Toshiba
晶体管
MOSFET MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
1:¥16.1364
10:¥12.9837
100:¥10.3734
500:¥9.1417
参考库存:3149
2N4920
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Med Power
1:¥11.6842
10:¥9.5259
100:¥7.9891
500:¥6.1246
参考库存:3108
FP75R06KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥865.5235
5:¥849.6244
10:¥811.4304
25:¥784.3782
参考库存:3031
DDTA124GUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:6026
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