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晶体管
ZXTN25020DFHTA参考图片

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ZXTN25020DFHTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V HIGH GAIN
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.8419
1841.9
3,000
¥1.8419
5525.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
4.5 A
增益带宽产品fT
215 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN250
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 10 mA, 2 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
1810 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,ZXTN25020DFHTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50Vcbo 45Vceo 6.0Vebo 200mA
1:¥13.5261
10:¥12.0684
100:¥9.605
500:¥8.4524
参考库存:4635
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:4495
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥8.4524
10:¥7.5258
100:¥5.9438
500:¥4.6104
1,000:¥3.6386
2,000:¥3.2996
参考库存:15198
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC Log Lvl
1:¥3.3787
10:¥2.599
100:¥1.4125
1,000:¥1.05994
3,000:¥0.91417
9,000:¥0.85315
参考库存:22562
晶体管
JFET TAPE7 FET-RFSS
1:¥4.0002
10:¥3.5482
25:¥3.2092
100:¥2.8024
3,000:¥1.5255
6,000:查看
参考库存:12857
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