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晶体管
STGD5H60DF参考图片

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STGD5H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
2,500
¥3.0623
7655.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
83 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD5H60DF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
5 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGD5H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 12V 3A
1:¥3.7629
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:5661
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
1:¥17.6732
10:¥15.0629
100:¥11.9893
500:¥10.5316
800:¥8.6784
参考库存:3752
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC
1:¥21.7412
10:¥18.4416
100:¥14.7578
500:¥12.9046
1,000:¥10.6785
参考库存:3818
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.308 Ohm 11 A MDmesh M5
1:¥22.2045
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.221
1,000:¥10.9836
参考库存:3572
晶体管
MOSFET N Ch 60V 0.060 Ohm 16A
1:¥7.5258
10:¥6.441
100:¥4.9494
500:¥4.3731
2,500:¥3.0623
10,000:查看
参考库存:12716
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