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晶体管
2N7002LT3G参考图片

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2N7002LT3G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 60V 115mA N-Channel
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数量单价合计
1
¥1.7628
1.7628
10
¥1.2317
12.317
100
¥0.51528
51.528
1,000
¥0.35369
353.69
10,000
¥0.23843
2384.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
115 mA
Rds On-漏源导通电阻
7.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
2N7002L
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
80 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,2N7002LT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
10,000:¥0.34578
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10:¥5.1754
100:¥4.0002
500:¥2.9606
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6,000:查看
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1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
10,000:¥0.64523
20,000:查看
参考库存:19000
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