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晶体管
APT37M100L参考图片

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APT37M100L

  • Microsemi
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET - MOS8
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库存:3,039(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥159.2848
159.2848
5
¥152.1432
760.716
10
¥147.3746
1473.746
25
¥135.4644
3386.61
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-264-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
37 A
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
305 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.135 kW
通道模式
Enhancement
商标名
POWER MOS 8
封装
Tube
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
39 S
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
150 ns
典型接通延迟时间
44 ns
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格,APT37M100L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
1:¥1.695
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:29238
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 13 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:4623
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
1:¥12.4526
10:¥10.6785
100:¥8.1473
500:¥7.2433
1,000:¥5.7291
3,000:¥5.7291
参考库存:45518
晶体管
达林顿晶体管 Darlington Transistr Array
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.9043
参考库存:13751
晶体管
MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.6048
100:¥4.3166
500:¥3.8081
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:32336
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