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晶体管
A1C15S12M3参考图片

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A1C15S12M3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:2,892(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥281.9237
281.9237
5
¥275.6296
1378.148
10
¥263.0188
2630.188
25
¥252.0352
6300.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Converter Inverter Brake
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
142.8 W
封装 / 箱体
ACEPACK1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A1C15S12M3
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
优势价格,A1C15S12M3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 7A TO220FP-3
1:¥7.684
10:¥6.5653
100:¥5.0511
500:¥4.4635
1,000:¥3.5143
参考库存:4440
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual MatchedNPN Tra
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:16275
晶体管
IGBT 晶体管 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT
1:¥18.5207
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
800:¥9.1417
参考库存:5989
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 2.3KA
1:¥5,924.8273
5:¥5,830.1559
参考库存:42896
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 400V 0.5A
1:¥6.3054
10:¥5.198
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.2713
参考库存:6950
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