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晶体管
STGIPS20C60参考图片

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STGIPS20C60

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 600V 20A SLIMM 3-Ph Trench Gate IGBT
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库存:2,018(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥150.8324
150.8324
5
¥149.2956
746.478
10
¥139.1595
1391.595
25
¥132.8541
3321.3525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
46 W
封装 / 箱体
SDIP-25
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
系列
STGIPS20C60
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
132
子类别
IGBTs
商标名
SLIMM
商品其它信息
优势价格,STGIPS20C60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 80V 2.4 MOHM PQFN56
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.436
3,000:¥13.9894
参考库存:9891
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥7.0738
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
2,500:¥3.2318
参考库存:4021
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥6.9947
10:¥5.8308
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
4,000:¥3.0171
参考库存:5653
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER EASY
1:¥527.5857
5:¥517.8225
10:¥504.4546
25:¥494.6236
参考库存:2188
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.032 Ohm typ., 67 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥76.7609
10:¥69.382
25:¥66.1615
100:¥57.404
参考库存:3360
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