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晶体管
PD85025TR-E参考图片

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PD85025TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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库存:4,279(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥219.9884
219.9884
5
¥217.7623
1088.8115
10
¥202.9367
2029.367
25
¥193.8628
4846.57
600
¥157.3638
94418.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
15.7 dB
输出功率
25 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
9.4 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85025-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
7.5 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD85025TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
1:¥6.6896
10:¥5.7517
100:¥4.4296
500:¥3.9098
1,000:¥3.0849
参考库存:7552
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
1:¥7.6049
10:¥6.4975
100:¥4.9946
500:¥4.407
1,000:¥3.4804
2,500:¥3.4804
参考库存:3513
晶体管
MOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
2,500:¥3.4578
参考库存:27240
晶体管
MOSFET N-Channel DMOS FET Low Threshold 2.0V
1:¥6.4523
10:¥6.3958
25:¥5.3788
100:¥4.9042
2,000:¥3.3448
4,000:查看
参考库存:2543
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥15.2889
10:¥12.9837
100:¥10.3734
500:¥9.0626
1,000:¥7.5371
参考库存:2005
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