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晶体管
STGWT40H65DFB参考图片

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STGWT40H65DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
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库存:3,383(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1202
31.1202
10
¥26.4307
264.307
100
¥22.8938
2289.38
250
¥21.7412
5435.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT40H65DFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT40H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS NPN 100V 2A DPAK
1:¥5.0737
10:¥3.729
100:¥2.7685
500:¥2.3391
2,500:¥1.6046
5,000:查看
参考库存:3758
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.2207
500:¥6.3845
2,500:¥4.4748
10,000:查看
参考库存:3858
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 50V 3A 4-Pin (3+Tab)
1:¥2.9945
10:¥2.3391
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
2,000:¥0.82264
参考库存:2156
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -3.44A DSO-8
1:¥7.458
10:¥6.3958
100:¥4.9155
500:¥4.3505
2,500:¥3.0397
10,000:查看
参考库存:3794
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
1:¥6.9947
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,500:¥2.8702
9,000:查看
参考库存:2910
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