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晶体管
PD55008S-E参考图片

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PD55008S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:3,175(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥120.7179
120.7179
10
¥110.9547
1109.547
25
¥106.3443
2658.6075
100
¥93.7448
9374.48
250
¥89.1344
22283.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55008-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
1.190 g
商品其它信息
优势价格,PD55008S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:3716
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
1:¥28.589
10:¥24.2837
100:¥21.0519
250:¥19.9784
500:¥17.8992
参考库存:5307
晶体管
MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0851
参考库存:4574
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:4675
晶体管
MOSFET 150V N-Channel QFET Trench
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
500:¥14.6787
800:¥14.6787
参考库存:8774
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