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晶体管
STP105N3LL参考图片

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STP105N3LL

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI
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库存:3,254(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1642
3582.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
140 W
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STP105N3LL
商标
STMicroelectronics
下降时间
23.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
91 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24.5 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP105N3LL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.7412
500:¥19.5151
参考库存:1934
晶体管
MOSFET 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
1:¥9.7632
10:¥8.2942
100:¥6.3619
500:¥5.6274
4,000:¥3.9437
8,000:查看
参考库存:3770
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 50V
1:¥4.9155
10:¥4.0906
100:¥2.4973
1,000:¥1.9323
2,500:¥1.6498
参考库存:2835
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.5A 50V
1:¥3.616
10:¥2.373
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.59212
参考库存:13625
晶体管
MOSFET 150V N-Channel QFET
1:¥17.063
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
参考库存:2878
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