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晶体管
NGB8206ANTF4G参考图片

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NGB8206ANTF4G

  • Littelfuse
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 20A 350V N-CHANNEL
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库存:2,396(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.8202
19.8202
10
¥16.9048
169.048
100
¥13.5261
1352.61
250
¥12.8368
3209.2
700
¥12.2944
8606.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
390 V
栅极/发射极最大电压
15 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGB8206A
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Littelfuse
栅极—射极漏泄电流
350 uA
湿度敏感性
Yes
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
700
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,NGB8206ANTF4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20v N ch MOSFET
1:¥3.4578
10:¥2.5312
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:28025
晶体管
IGBT 晶体管 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
1:¥43.4937
10:¥36.9623
100:¥32.0468
250:¥30.4309
参考库存:4213
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 53 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥7.91
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
参考库存:5651
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 45Vcbo 45Vceo 7.0Vebo 340mW
1:¥15.368
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
参考库存:5780
晶体管
MOSFET 60V N CH MOSFET
1:¥6.7574
10:¥5.6839
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
2,500:¥2.6442
参考库存:31273
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