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晶体管
IRG4RC10SDTRPBF参考图片

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IRG4RC10SDTRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V DC-1kHz
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114.469
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¥9.1417
914.17
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1,000
¥6.667
6667
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001542118
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格，IRG4RC10SDTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM9933DCS
Taiwan Semiconductor
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MOSFET Dual 20V P channel MOSFET
5,000:¥2.0001
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IFN403
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62:¥115.5651
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AUIRLS3034TRL
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800:¥21.0519
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参考库存:31100
6MS30017E43W38169
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥251,518.0668
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PTVA120501EA-V1-R250
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥640.4614
参考库存:31106
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