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晶体管
STGIPN3H60T-H参考图片

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STGIPN3H60T-H

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM-nano small low-loss intelligent molded module IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge
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1
¥60.3194
60.3194
10
¥54.4773
544.773
25
¥51.9461
1298.6525
100
¥45.1096
4510.96
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
3 A
栅极—射极漏泄电流
-
Pd-功率耗散
8 W
封装 / 箱体
NDIP-26L
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
系列
STGIPN3H60T-H
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
-
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
476
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
商品其它信息
优势价格，STGIPN3H60T-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC847BM,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
10,000:¥0.29154
20,000:查看
参考库存:17999
BC33740BU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 800mA HFE/630
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.69156
1,000:¥0.46895
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1HP04CH-TL-W
ON Semiconductor
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MOSFET PCH 80MA 100V SOT-23
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:7582
2SC4102T106S
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 25V 50MA
1:¥2.8476
10:¥2.1131
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.7458
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2N3584
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Power
1:¥92.208
10:¥91.2814
25:¥84.4449
100:¥77.5293
参考库存:4720
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