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晶体管
SQS966ENW-T1_GE3参考图片

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SQS966ENW-T1_GE3

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
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数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.7743
57.743
100
¥4.4296
442.96
500
¥3.8081
1904.05
1,000
¥3.0171
3017.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
36 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值
2.8 S
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
7.9 ns
商品其它信息
优势价格，SQS966ENW-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXTN10150DZTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 150V NPN LED Driver 150Vceo 1A 1.5W
1:¥3.9211
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
2,000:¥1.2882
参考库存:4123
2SCR544P5T100
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V Vceo 2.5A Ic MPT3
1:¥3.9211
10:¥3.2318
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
2,000:¥1.3108
参考库存:4367
MUN5112T1G
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双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.2317
10:¥1.05316
100:¥0.37629
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.1921
参考库存:9160
PDTC144WU,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:4733
2SD1816T-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HF LOW-NOISE AMPLIFIER
1:¥6.4523
10:¥5.4466
100:¥4.181
700:¥3.6951
1,400:¥2.9154
参考库存:3912
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