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晶体管
IRGIB10B60KD1P参考图片

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IRGIB10B60KD1P

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V Low-Vceon
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库存:4,569(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.9786
23.9786
10
¥20.3626
203.626
100
¥17.6732
1767.32
250
¥16.7466
4186.65
500
¥14.9838
7491.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
44 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
9.02 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001549794
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,IRGIB10B60KD1P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
参考库存:6205
晶体管
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥12.5204
10:¥10.3734
100:¥8.0682
500:¥7.0625
2,000:¥5.4466
4,000:查看
参考库存:6576
晶体管
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥35.2673
10:¥29.9676
100:¥25.9674
250:¥24.6679
500:¥22.1254
参考库存:4622
晶体管
MOSFET Nch 250V 4A TO-252 (DPAK)
1:¥8.2942
10:¥7.0625
100:¥5.424
500:¥4.7912
2,500:¥4.7912
参考库存:6799
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
1:¥7.1416
10:¥5.6952
100:¥4.3166
500:¥3.5708
1,000:¥2.8589
3,000:¥2.5877
参考库存:7291
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