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晶体管
IRGIB10B60KD1P参考图片

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IRGIB10B60KD1P

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V Low-Vceon
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库存:4,569(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.9786
23.9786
10
¥20.3626
203.626
100
¥17.6732
1767.32
250
¥16.7466
4186.65
500
¥14.9838
7491.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
44 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
9.02 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001549794
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,IRGIB10B60KD1P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V 20A IGBT Stop Trench
1:¥16.8257
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥10.0683
1,000:¥8.2942
参考库存:1499
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 140V 150W NPN
1:¥49.2567
10:¥44.4881
50:¥42.4202
100:¥36.8041
参考库存:1896
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A Dual
1:¥580.9104
5:¥569.4635
10:¥545.6431
25:¥528.049
50:¥520.9752
参考库存:1116
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
1:¥3.842
10:¥2.5538
100:¥1.4238
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:14485
晶体管
MOSFET P-Channel MOSFET
1:¥3.616
10:¥2.4634
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.7458
参考库存:21589
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