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晶体管
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CSD17501Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
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库存：6,524(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.447
13.447
10
¥11.4469
114.469
100
¥9.1417
914.17
500
¥7.9891
3994.55
2,500
¥6.1811
15452.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
13.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17501Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
110 S
开发套件
TPS23754EVM-420, TPS40180EVM, TPS40140EVM-003, DLPDLCR4710EVM-G2, TPS40140EVM-002, TPS2412EVM, TPS2413EVM, TPS40131EVM
下降时间
7.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
10.4 ns
商品其它信息
优势价格，CSD17501Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N7002DW H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
1:¥2.7685
10:¥1.808
100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:69295
STGB30H60DFB
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:3841
BSC040N10NS5
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
5,000:¥7.5032
参考库存:2191
DTD113EKFRAT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.5A 1kO SOT-346
1:¥3.7629
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥0.99892
参考库存:8059
IPW60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥88.592
10:¥80.1396
25:¥76.3767
100:¥66.3084
参考库存:2541
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