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晶体管
SQJ200EP-T1_GE3参考图片

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SQJ200EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.0851
70.851
100
¥5.4353
543.53
500
¥4.6782
2339.1
3,000
¥3.4465
10339.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
20 A, 60 A
Rds On-漏源导通电阻
7.4 mOhms, 3.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18 nC, 43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27 W, 48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
55 S, 60 S
下降时间
13 ns, 14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns, 17 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 19 ns
典型接通延迟时间
4 ns, 7 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJ200EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET RAIL PWR-MOS
暂无价格
参考库存:22314
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MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥22.1254
10:¥18.7467
100:¥14.9838
500:¥13.1419
1,000:¥10.9158
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1:¥7.0738
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
2,500:¥2.8702
10,000:查看
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3,000:¥0.66105
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1:¥7.6049
10:¥6.5088
100:¥4.9946
500:¥4.4183
1,500:¥3.0849
9,000:查看
参考库存:22325
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