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晶体管
STP34NM60ND参考图片

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STP34NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD
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库存:4,832(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥67.6192
67.6192
10
¥61.0878
610.878
25
¥58.2402
1456.005
100
¥50.5562
5055.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
80.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
STP34NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
61.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
53.4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
111 ns
典型接通延迟时间
30 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP34NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K
10,000:¥0.92208
参考库存:18991
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥4.1471
10:¥3.4578
25:¥2.8476
100:¥2.6103
2,000:¥1.6837
参考库存:18994
晶体管
MOSFET BSS Family
1:¥3.0736
10:¥2.3391
100:¥1.2769
1,000:¥0.95259
2,500:¥0.82264
10,000:¥0.7684
参考库存:14697
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Pre-biased Small Signal Transistor
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:18999
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
3,000:¥6.1246
6,000:¥5.8986
12,000:¥5.6726
参考库存:19002
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