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晶体管
STP3NK60Z参考图片

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STP3NK60Z

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.9382
693.82
500
¥6.328
3164
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
2.4 A
Rds On-漏源导通电阻
3.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP3NK60Z
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1.8 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STP3NK60Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SOT23 30V 2.5A 140MO
6,000:¥1.11418
9,000:¥1.03734
24,000:¥0.9831
45,000:¥0.9605
99,000:¥0.92208
参考库存:31844
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER ECONO
6:¥1,324.1792
12:¥1,291.2962
30:¥1,273.1597
参考库存:31847
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT23H160-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥705.3912
参考库存:31850
晶体管
MOSFET MOSFET, UniFET 500V / 3.5A
2,500:¥3.8533
10,000:¥3.7177
25,000:¥3.5934
参考库存:31853
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 100mA PNP General Purpose Tran
10,000:¥0.46104
20,000:¥0.3842
参考库存:31856
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