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晶体管
SMBT3906DW1T1G参考图片

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SMBT3906DW1T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 40V
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.1696
21.696
100
¥1.1752
117.52
1,000
¥0.88366
883.66
3,000
¥0.76049
2281.47
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.25 V
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SMBT3906DW1T1G
直流电流增益 hFE 最大值
300
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 200 mA
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，SMBT3906DW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN1R6-60CLJ
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMN1R6-60CL/D2PAK/
暂无价格
参考库存:30702
STB36NF06LT4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
参考库存:4852
MRF6VP3091NR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4
500:¥682.1132
参考库存:30707
STFU13N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
1,000:¥6.8026
2,000:¥6.328
5,000:¥6.102
10,000:¥5.8647
参考库存:30710
NGTD8R65F2SWK
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/40A CC14 FAST RECTIF
1,072:¥3.2318
2,500:¥2.8702
10,000:¥2.7572
25,000:¥2.6781
参考库存:30713
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