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晶体管
STL36DN6F7参考图片

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STL36DN6F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-channel 60 V, 0.023 Ohm typ., 36 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package
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库存:8,772(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.6952
56.952
100
¥3.6725
367.25
1,000
¥2.938
2938
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT5x6-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms, 23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8 nC, 8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
58 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
系列
STL36DN6F7
晶体管类型
2 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
3.95 ns, 3.95 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.25 ns, 3.25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.1 ns, 12.1 ns
典型接通延迟时间
7.85 ns, 7.85 ns
商品其它信息
优势价格,STL36DN6F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:11594
晶体管
MOSFET MOSFET_(75V,120V(
1:¥36.273
10:¥30.8151
100:¥26.7358
250:¥25.3572
2,000:¥18.2156
4,000:查看
参考库存:5524
晶体管
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥30.3518
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2101
500:¥19.0518
参考库存:3917
晶体管
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
2,500:¥4.7234
参考库存:3653
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -49 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥12.2944
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.1642
1,000:¥5.65
2,500:¥5.65
参考库存:5487
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