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晶体管
PSMN6R3-120ESQ参考图片

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PSMN6R3-120ESQ

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 120V 6.7mOhm stndrd level MOSFET
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库存:25,653(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.5207
18.5207
10
¥15.7522
157.522
100
¥12.5995
1259.95
500
¥11.0627
5531.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
207.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
405 W
配置
Single
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
67.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58.2 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
142.1 ns
典型接通延迟时间
42.1 ns
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,PSMN6R3-120ESQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
参考库存:2841
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V 0.6A
1:¥3.6838
10:¥2.3391
100:¥1.00683
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.59212
参考库存:7444
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥627.2404
5:¥607.5784
10:¥589.1368
25:¥562.627
参考库存:2743
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.2094
参考库存:2985
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:4173
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