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晶体管
PSMN6R3-120ESQ参考图片

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PSMN6R3-120ESQ

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 120V 6.7mOhm stndrd level MOSFET
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库存：25,653(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.5207
18.5207
10
¥15.7522
157.522
100
¥12.5995
1259.95
500
¥11.0627
5531.35
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
207.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
405 W
配置
Single
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
67.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58.2 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
142.1 ns
典型接通延迟时间
42.1 ns
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，PSMN6R3-120ESQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN1032UCB4-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W
1:¥4.3844
10:¥3.6612
100:¥2.2374
1,000:¥1.7289
3,000:¥1.4803
参考库存:14644
IRFS4410ZTRLPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg
1:¥19.436
10:¥16.5206
100:¥13.221
500:¥11.6051
800:¥9.605
参考库存:5523
IRFS4010TRLPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC Qg
1:¥22.826
10:¥19.436
100:¥16.8257
250:¥15.9782
500:¥14.2945
800:¥12.3735
参考库存:6958
IRF7404TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -20V -6.7A 40mOhm 33.3nC
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6499
1,000:¥2.9154
4,000:¥2.9154
参考库存:11737
VS-CPV364M4KPBF
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 晶体管 600 Volt 13 Amp
1:¥381.7366
5:¥371.6005
10:¥357.1478
25:¥330.3329
参考库存:4514
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