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晶体管
PSMN6R3-120ESQ参考图片

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PSMN6R3-120ESQ

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 120V 6.7mOhm stndrd level MOSFET
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库存:25,653(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.5207
18.5207
10
¥15.7522
157.522
100
¥12.5995
1259.95
500
¥11.0627
5531.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
207.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
405 W
配置
Single
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
67.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58.2 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
142.1 ns
典型接通延迟时间
42.1 ns
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,PSMN6R3-120ESQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:35370
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 10A TO220-3 CoolMOS C3
1:¥45.7989
10:¥38.9624
100:¥33.7305
250:¥32.0468
500:¥28.7359
参考库存:3641
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 package
1:¥52.9405
10:¥47.8668
25:¥45.6407
100:¥39.6517
参考库存:3276
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -50V -0.15A 0.2W SOT-323; SC-70; UMT3
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:11562
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.9946
10:¥3.8759
100:¥3.4013
500:¥3.0397
8,000:¥1.8871
参考库存:11764
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