您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
HGTG20N60B3D参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

HGTG20N60B3D

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:2,756(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.8043
40.8043
10
¥34.7362
347.362
100
¥30.0467
3004.67
250
¥28.5099
7127.475
500
¥25.5832
12791.6
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
165 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG20N60B3D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG20N60B3D_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG20N60B3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Test Board without GaN HEMT
1:¥6,627.45
参考库存:5575
晶体管
MOSFET CPU SUP WITH 16K EEPROM
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5032
3,000:¥5.7969
6,000:查看
参考库存:41576
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:26191
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 117A 4MOHM
2,500:¥4.2375
10,000:¥4.0793
参考库存:26194
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 0.1A 3-PIN SMT
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:8584
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们