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晶体管
STGW60V60DF参考图片

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STGW60V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
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库存:2,113(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.3301
48.3301
10
¥41.0303
410.303
100
¥35.5724
3557.24
250
¥33.7305
8432.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW60V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,STGW60V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 200nC
1:¥37.1883
10:¥31.5835
100:¥27.3573
250:¥25.9674
4,000:¥17.9783
参考库存:8334
晶体管
MOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A
1:¥6.7574
10:¥5.537
100:¥4.2488
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,000:¥2.8815
参考库存:32624
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BIAS RESISTOR BUILT IN TRANSISTOR
1:¥1.695
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
8,000:¥0.2147
24,000:查看
参考库存:11817
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥27.8206
10:¥24.8148
100:¥20.3626
250:¥19.3682
3,000:¥12.8368
参考库存:7327
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SOT-89 -3A 200 to 500hFE -30V
1:¥3.6838
10:¥3.0284
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
参考库存:12681
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