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晶体管
PD55015-E参考图片

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PD55015-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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库存:1,620(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥156.8327
156.8327
5
¥155.2168
776.084
10
¥144.6852
1446.852
25
¥138.1538
3453.845
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14 dB
输出功率
15 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55015-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.5 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
73 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55015-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Small-signal FET 1.2A 20V 0.53Ohm
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3334
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:43693
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch + Pch MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:43696
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
2,000:¥0.88366
10,000:¥0.82942
参考库存:43699
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥43.7988
10:¥39.1093
25:¥35.1882
50:¥33.6514
参考库存:43702
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0,35mW PNP Transistor
1:¥1.695
10:¥1.5368
100:¥1.00683
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.27685
参考库存:43705
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