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晶体管
IPP114N12N3 G参考图片

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IPP114N12N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 75A TO220-3 OptiMOS 3
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库存：2,009(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.1364
16.1364
10
¥13.7521
137.521
100
¥10.9836
1098.36
500
¥9.605
4802.5
1,000
¥7.91
7910
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
11.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
36 nS
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 nS
零件号别名
IPP114N12N3GXK IPP114N12N3GXKSA1 SP000652740
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP114N12N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NX1029X,115
Nexperia
晶体管
MOSFET 60/50V, 330/170 mA N/P-ch Trench MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.5425
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
4,000:¥1.02152
参考库存:25005
IRLR014PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR014
1:¥6.9947
10:¥5.5596
500:¥4.2149
1,000:¥3.4126
参考库存:6602
IRFR9310PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp
1:¥10.2943
10:¥8.4524
100:¥6.4749
参考库存:6282
RFP12N10L
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET TO-220AB N-Ch Power
1:¥7.0738
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥4.068
1,000:¥3.2092
参考库存:11378
NSVMUN5312DW1T2G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
9,000:¥0.63732
参考库存:21505
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