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晶体管
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STGP15H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 15A HiSpd
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数量单价合计
1
¥15.5262
15.5262
10
¥13.221
132.21
100
¥10.5316
1053.16
500
¥9.2208
4610.4
1,000
¥7.6727
7672.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
115 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP15H60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，STGP15H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DD600S65K3
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100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
8,000:¥0.95259
24,000:查看
参考库存:45292
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