哈工大在国家急需时刻从不缺席，现在国家急需光刻机。哈工大的DPP-EUV光源出来，真的是史诗级成果，一流大学就应该有世界顶尖水平，这是哈工大在超精密加工，超精密测量领域几十年积累的结果！

中科院长春光机所在光刻机所需的透镜及曝光系统上早已有突破，而最新的消息也显示，长春光机所在实验室已经搭建出了一套EUV光源设备。

而长春光机所正基于哈工大DPP-EUV光源研制EUV曝光机，预计两年内可推出。光刻机的两大核心部件为双工件台和曝光系统。

EUV光刻的全称为极紫外光刻（Extreme Ultra-violet），其光源主要有2种：

1、一种是DPP-EUV极紫外光源。放电激发等离子体EUV极紫外光源

荷兰ASML光刻机公司，哈工大研究的都是这一种。

DPP EUV光源利用放电使负载（Xe或Sn）形成等离子体，辐射出紫外线，利用多层膜反射镜多次反射净化能谱，获得1EUV光。

2、激光等离子体光源(LPP)

LPP EUV系统主要包括激光器、汇聚透镜、负载、光收集器、掩膜、投影光学系统和芯片。

其原理是利用高功率激光加热负载(Xe或Sn)形成等离子体，等离子体辐射出紫外线，利用多层膜反射镜多次反射净化能谱，获得1EUV光。

LPP EUV光源的优点是光源尺寸小，产生碎片或粒子的种类少，光收集效率高以及较容易放大EUV输出功率。当然它也有缺点，主要是系统设计复杂，价格昂贵。

这2种光源。哈工大都在15年前就研究了！、

哈工大在祖国需要的时候能冲上去，这就是军工大学的担当！

其实

中国在1977年就成功研究了光刻机。

那个时候，还没有荷兰ASML光刻机公司这个公司。

可惜中国80年代，都是造不如买去了。

以前日本人走的是激光等离子体光源。

荷兰ASML光刻机公司走的是气体放电激发等离子体EUV极紫外光源

（哈工大气体可调谐激光技术国家级重点实验室 研究的东西与他们一样）。