| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V
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1:¥599.7362
5:¥582.289
10:¥569.7686
25:¥545.8691
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参考库存:29921
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFG24S100H/CFM2F///REEL 13 Q2 NDP
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50:¥2,575.1344
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参考库存:28329
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308HS/CFM4F///REEL 13
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50:¥1,301.6696
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参考库存:28320
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T14H450-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥1,010.672
5:¥991.0778
10:¥958.353
25:¥917.7747
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参考库存:27852
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1.8-600 MHz 300 W 50 V
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50:¥733.9802
100:¥682.6443
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参考库存:27806
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
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250:¥892.8808
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参考库存:27622
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V
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500:¥312.8179
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参考库存:27546
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
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500:¥487.3238
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参考库存:34149
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H300-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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1:¥1,132.5425
5:¥1,107.2644
10:¥1,084.6757
25:¥1,068.6184
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参考库存:34121
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H160W04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥658.903
5:¥646.0662
10:¥624.7883
25:¥598.3576
250:¥536.5014
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参考库存:34101
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230HS
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50:¥4,410.9211
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参考库存:34087
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011HS/CFM2F///REEL 13
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50:¥3,427.4482
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参考库存:33974
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250:¥654.5186
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参考库存:33958
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1317H/CFM4F///REEL 13
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50:¥4,321.7076
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参考库存:33846
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
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250:¥853.15
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参考库存:33793
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥1,160.3631
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参考库存:33762
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,543.3314
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参考库存:33683
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4
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250:¥700.0124
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参考库存:33662
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230S
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150:¥2,672.5743
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参考库存:33634
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S162W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥768.7842
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参考库存:33620
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