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光学探测器和传感器
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BPW76B

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • 光电晶体管 NPN Phototransistor 80V 250mW 850nm
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数量单价合计
1
¥26.5098
26.5098
10
¥20.3626
203.626
100
¥15.9104
1591.04
250
¥14.1363
3534.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
光电晶体管
RoHS
产品
Phototransistors
封装 / 箱体
TO-18
安装风格
Through Hole
峰值波长
850 nm
开启状态集电极最大电流
50 mA
集电极—发射极最大电压 VCEO
70 V
集电极—射极击穿电压
70 V
集电极—射极饱和电压
0.15 V
暗电流
100 nA
Pd-功率耗散
250 mW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
高度
5.2 mm
长度
5.5 mm
透镜颜色/类型
Clear
封装
Bulk
类型
Chip
波长
850 nm
宽度
5.5 mm
商标
Vishay Semiconductors
半强度角度
40 deg
弱电流
0.8 mA
产品类型
Phototransistors
工厂包装数量
1000
子类别
Optical Detectors and Sensors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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