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光学探测器和传感器
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BPW85C

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • 光电晶体管 NPN Phototransistor 70V 100mW 850nm
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1
¥5.2997
5.2997
10
¥3.7629
37.629
100
¥2.825
282.5
500
¥2.1809
1090.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
光电晶体管
RoHS
产品
Phototransistors
封装 / 箱体
T-1
安装风格
Through Hole
峰值波长
850 nm
开启状态集电极最大电流
50 mA
集电极—发射极最大电压 VCEO
70 V
集电极—射极击穿电压
70 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
暗电流
200 nA
Pd-功率耗散
100 mW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
高度
4.5 mm
长度
3.4 mm
透镜颜色/类型
Clear
封装
Bulk
类型
Chip
波长
850 nm
宽度
3.4 mm
商标
Vishay Semiconductors
半强度角度
25 deg
弱电流
8 mA
产品类型
Phototransistors
工厂包装数量
5000
子类别
Optical Detectors and Sensors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥26.3516
250:¥24.8148
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