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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	MT3S16
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	5 V
发射极 - 基极电压 VEBO	2 V
集电极连续电流	60 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 125 C
配置	Single
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70-3
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	10 V
直流电流增益 hFE 最大值	140
工作频率	4 GHz (Typ)
工作温度范围	- 55 C to + 125 C
类型	UHF Band Oscillator and Amplifier
商标	Toshiba
Pd-功率耗散	100 mW
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6.200 mg

商品其它信息

优势价格，MT3S16U(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
EFR32BG1B132F256GM48-C0R	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC Blue Gecko SoC, 2.4 GHz, 256 kB flash, 32kB RAM, +3 dBm, QFN32, BLE+H3050:H3074	1:¥29.4252 10:¥27.8206 25:¥26.9731 50:¥26.1256 2,500:¥22.0576	参考库存:6053
QPA2609TR7	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 7-14GHz NF 1.1dB SSGain 26dB	1:¥325.1123 25:¥287.3025 100:¥253.8771 250:¥233.5145 750:¥233.5145	参考库存:4207
LMX2531LQ1700E/NOPB	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Hi Perf Freq Synthesizer System	1:¥89.8237 10:¥82.5239 25:¥78.2977 100:¥69.7662 250:¥66.3084	参考库存:3807
BGS12PN10E6327XTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC	1:¥4.6104 10:¥3.7968 100:¥2.4521 1,000:¥1.9549 7,500:¥1.5933	参考库存:13986
TGL2209-SM	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频无线杂项 8-12GHz 50W GaAs IL <.5dB	1:¥359.6112 25:¥291.3027	参考库存:3639