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无线和射频半导体
HMC902LP3ETR参考图片

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HMC902LP3ETR

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 Low Noise Amplifier SMT,5-10 GHz
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库存:1,626(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥274.3979
274.3979
5
¥259.335
1296.675
10
¥253.0296
2530.296
25
¥227.4464
5686.16
500
¥196.2471
98123.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
类型
Low Noise Amplifier
技术
GaAs
工作频率
5 GHz to 10 GHz
P1dB - 压缩点
16 dBm
增益
19.5 dB
工作电源电压
3.5 V
NF—噪声系数
1.8 dB
OIP3 - 三阶截点
28 dBm
工作电源电流
80 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC902G
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
12 dB
Pd-功率耗散
0.45 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
优势价格,HMC902LP3ETR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PLL/VCO
1:¥500.3075
5:¥492.3862
10:¥475.2554
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参考库存:3113
无线和射频半导体
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1:¥134.8542
25:¥89.5977
100:¥74.0715
250:¥70.3086
参考库存:3248
无线和射频半导体
PIN 二极管 Max CW 3 Watts Max. Pk Pwr 90W
100:¥16.1364
200:¥15.0629
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无线和射频半导体
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1:¥39.1093
10:¥26.8149
25:¥23.278
100:¥22.5887
1,000:¥18.8258
参考库存:3995
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
1:¥115.9493
10:¥106.5816
25:¥102.1972
100:¥90.061
参考库存:3495
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