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无线和射频半导体
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VRF2944

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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库存:1,012(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥987.2358
987.2358
2
¥967.8789
1935.7578
5
¥935.6061
4678.0305
10
¥918.7804
9187.804
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
50 A
Vds-漏源极击穿电压
180 V
增益
25 dB
输出功率
400 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Box
工作频率
30 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
10 mS
Pd-功率耗散
795 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
优势价格,VRF2944的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Phase Detect / PLL Freq Synthesizer
1:¥32.3519
10:¥28.8941
25:¥26.0465
50:¥24.8148
参考库存:3538
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.0 GHz/0.8 GHz PLLatinum Dual High Freq
1:¥27.1991
10:¥24.5097
100:¥20.0575
250:¥18.7467
2,500:¥13.673
参考库存:3862
无线和射频半导体
衰减器 DC-6 GHz 3 Bit, 1dB LSB DATT
1:¥53.9462
10:¥48.7934
50:¥46.4882
100:¥40.4201
参考库存:2871
无线和射频半导体
衰减器 Attn=4dB -55C +150C RL=16dB @ 40GHz
100:¥32.883
300:¥29.6625
500:¥26.5889
1,000:¥22.4418
参考库存:3258
无线和射频半导体
射频放大器 2-2400MHz NF 4.0dB Gain 9.0dB
1:¥1,280.6177
参考库存:2770
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