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无线和射频半导体
ARF463AG参考图片

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ARF463AG

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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库存:4,587(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥254.8828
254.8828
5
¥243.4246
1217.123
10
¥235.8197
2358.197
25
¥216.6888
5417.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
封装
Tube
工作频率
100 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
4 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
180 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,ARF463AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Freq Synthesizer
1:¥42.6462
10:¥38.0358
25:¥34.2729
50:¥32.657
1,000:¥21.8994
参考库存:1216
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz
1:¥31.1202
10:¥28.0466
50:¥28.0466
100:¥22.9729
250:¥21.8203
参考库存:1235
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC SmartConnect ATWILC1000B-MU-T Module - SmartConnect ATWILC1000B-MU-T Module
1:¥108.4235
10:¥98.0501
25:¥90.287
50:¥88.7502
参考库存:1187
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V 80MHz 8 TTL IND Programable
1:¥238.9724
5:¥227.6724
10:¥221.0732
25:¥203.1627
750:¥164.9009
参考库存:1664
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp 22-26.5GHz
2:¥775.9258
6:¥750.9528
10:¥735.9012
26:¥705.9336
参考库存:39471
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