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无线和射频半导体
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BGA7H1N6E6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.4918
54.918
100
¥4.2149
421.49
500
¥3.729
1864.5
15,000
¥2.4408
36612
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频放大器
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSNP-6
类型
LNA for LTE
技术
SiGe
工作频率
2300 MHz to 2690 MHz
P1dB - 压缩点
- 1 dBm
增益
12.5 dB
工作电源电压
3.3 V
NF—噪声系数
0.6 dB
OIP3 - 三阶截点
6 dBm
工作电源电流
4.7 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
输入返回损失
11 dB
隔离分贝
21 dB
Pd-功率耗散
60 mW
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
15000
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名
7H1N6 BGA E6327 SP001109130
单位重量
1 mg
商品其它信息
优势价格，BGA7H1N6E6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC959LC3TR-R5
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