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无线和射频半导体
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BA779-HG3-08

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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.0001
20.001
100
¥1.1639
116.39
500
¥0.95259
476.295
3,000
¥0.63732
1911.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
PIN 二极管
RoHS
Vr - 反向电压
30 V
最大二极管电容
0.5 pF
最大串联电阻(中频最大时)
50 Ohms
If - 正向电流
50 mA
Vf - 正向电压
1 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
最小工作频率
10 MHz
最大工作频率
1 GHz
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
系列
BA779-G
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
端接类型
SMD/SMT
商标
Vishay Semiconductors
载流子寿命
4 us
产品类型
PIN Diodes
工厂包装数量
3000
子类别
Diodes & Rectifiers
零件号别名
BA779-V-GH-08
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BA779-HG3-08的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
1:¥1,281.8494
参考库存:3344
无线和射频半导体
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1:¥68.9978
10:¥63.2348
25:¥57.4718
50:¥55.6299
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1:¥16.4415
25:¥12.5995
100:¥9.831
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3,000:¥6.3732
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10:¥111.2598
25:¥106.6494
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无线和射频半导体
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1:¥50.3302
10:¥45.4938
25:¥40.8834
100:¥37.6516
参考库存:8197
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