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无线和射频半导体
BFU520WX参考图片

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BFU520WX

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.7685
27.685
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.1526
3457.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
5 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
10 GHz
最大直流电集电极电流
50 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067693115
单位重量
5.569 mg
商品其它信息
优势价格，BFU520WX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LMX2572RHAT
Texas Instruments
无线和射频半导体
锁相环 - PLL HIGH PERFORMANCE RF SYNTHESIZER
1:¥228.373
5:¥218.994
10:¥210.6998
25:¥201.2417
250:¥171.5792
参考库存:5719
GRF5020
Guerrilla RF
无线和射频半导体
射频放大器 .01-6GHz Gain 17dB OP1dB 30.5dBm
1:¥86.0608
10:¥81.7555
100:¥75.3823
250:¥66.6926
1,500:¥28.8941
参考库存:5752
NLB-300-T1
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 DC-10GHz Gain 13dB P1dB 11.1dBm@2GHz
1:¥26.9731
25:¥20.6677
100:¥16.1364
250:¥13.3679
500:¥11.9893
1,000:¥10.5994
参考库存:5969
SC2440ATETRT
Semtech
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 2.5MHZ DL SW REG W/I
1:¥23.9786
10:¥19.3682
100:¥15.4471
500:¥13.1419
2,500:¥10.1474
参考库存:6188
TGA2830-SM
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 2.7-3.5GHz 18W GaN PAE >54% Gain 30.5dB
1:¥1,452.276
25:¥1,106.496
参考库存:4358
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