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无线和射频半导体
BFU660F,115参考图片

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BFU660F,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5256
35.256
100
¥2.147
214.7
1,000
¥1.6724
1672.4
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
5.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
30 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343F
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
21 GHz
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934064611115
单位重量
6.665 mg
商品其它信息
优势价格,BFU660F,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 2.4GHZ 802.15.4 128K SOC Ind 125C T&R
4,000:¥45.1096
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4,000:¥28.5099
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500:¥120.797
参考库存:13698
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1,500:¥1,223.2928
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无线和射频半导体
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56:¥106.2652
112:¥104.1973
280:¥92.208
参考库存:13704
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