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无线和射频半导体
BFP 640 H6327参考图片

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BFP 640 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.8193
181.93
1,000
¥1.4125
1412.5
3,000
¥1.2091
3627.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP640
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
110
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
50 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
40 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP640H6327XTSA1 BFP64H6327XT SP000745306
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 640 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp Chip, 17 - 24 GHz
25:¥458.1924
100:¥424.6201
参考库存:3265
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=1.4nH Cp=.12pF Series TEE SOT-23
1:¥9.605
10:¥7.7631
100:¥5.9438
500:¥5.2658
3,000:¥3.5708
参考库存:6876
无线和射频半导体
射频接收器 (Not Recommended for New Designs)300-440MHz Receiver, 1.2kbps, 1.7mA With Shutdown
1:¥19.6733
10:¥19.3682
25:¥18.0574
100:¥16.3624
参考库存:3519
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN/30V/50mA
1:¥1.8419
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
参考库存:44848
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥910.8591
2:¥882.5865
5:¥882.3492
10:¥853.8506
参考库存:3270
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