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无线和射频半导体
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DRF1200

  • Microchip / Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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¥1,118.9486
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2
¥1,092.0546
2184.1092
5
¥1,076.0651
5380.3255
10
¥1,060.8553
10608.553
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
封装
Box
配置
Inverting, Non-Inverting
高度
0.3 mm
长度
1.5 mm
类型
RF Power MOSFET
宽度
1 mm
商标
Microchip / Microsemi
下降时间
2.5 ns
Pd-功率耗散
624 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
商品其它信息
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