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无线和射频半导体
MT3S111P(TE12L,F)参考图片

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MT3S111P(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W
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库存:6,587(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.4918
54.918
100
¥4.2149
421.49
500
¥3.729
1864.5
1,000
¥2.938
2938
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MT3S111P
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-62-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
8 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格,MT3S111P(TE12L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 NFC Forum Type 2 Tag compliant IC
1:¥5.763
10:¥4.7799
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
4,000:¥2.0792
参考库存:6378
无线和射频半导体
PIN 二极管 2 X 2 QFN PIN LIMITER DIODE
1:¥14.5996
10:¥13.1419
25:¥11.9102
100:¥10.5994
3,000:¥6.7122
参考库存:5627
无线和射频半导体
衰减器 .1-3.0GHz 4 Bit Attn 15dB 1 dB LSB
1:¥36.1148
10:¥32.2728
25:¥29.041
100:¥26.4307
3,000:¥16.3624
参考库存:5128
无线和射频半导体
RFID应答器 2-Kbit Dynamic NFC RFID tag EEProm
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
2,500:¥2.5538
参考库存:4722
无线和射频半导体
射频前端 8-Ch Hi-Speed Ultra- Sound RTZ Pulser
1:¥150.4482
10:¥148.2221
25:¥125.3283
100:¥113.9492
参考库存:2372
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