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无线和射频半导体
MT3S111P(TE12L,F)参考图片

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MT3S111P(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W
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库存:6,587(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.4918
54.918
100
¥4.2149
421.49
500
¥3.729
1864.5
1,000
¥2.938
2938
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MT3S111P
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-62-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
8 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格,MT3S111P(TE12L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 RF DIODES
1:¥2.9154
10:¥1.8419
100:¥0.791
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:4801
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC F2913 PI FOR SP2T ABSORPTIVE RF SWITCH
1:¥34.8831
10:¥31.1202
25:¥28.0466
100:¥25.5832
2,500:¥16.5997
参考库存:58958
无线和射频半导体
射频接收器 (Not Recommended for New Designs)300-440MHz RF Receiver With Shutdown
1:¥19.6733
10:¥19.3682
25:¥18.0574
100:¥16.3624
参考库存:1667
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF 50mW 5.5dB 10V USM 60mA 2GHz
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:3955
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PHASE LOCKED LOOP
1:¥35.7306
10:¥32.1146
100:¥26.2838
250:¥24.6679
参考库存:1582
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