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无线和射频半导体
LTC5510IUF#PBF参考图片

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LTC5510IUF#PBF

  • Analog Devices
  • 新批次
  • 射频混合器 1MHz to 6GHz Wideb& Hi Linity Active Mix
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库存:3,606(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥91.2136
91.2136
25
¥60.5454
1513.635
100
¥50.0251
5002.51
250
¥47.5617
11890.425
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频混合器
RoHS
射频
1 MHz to 6000 MHz
NF—噪声系数
11.8 dB
LO频率
1 MHz to 6500 MHz
中频
1 MHz to 6000 MHz
最大工作温度
+ 105 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Tube
系列
LTC5510
商标
Analog Devices
增益
1.2 dB
OIP3 - 三阶截点
24.5 dBm
工作电源电流
105 mA
工作电源电压
3.1 V to 3.5 V, 4.5 V to 5.3 V
P1dB - 压缩点
11.6 dBm
产品类型
RF Mixer
工厂包装数量
91
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
219 mg
商品其它信息
优势价格,LTC5510IUF#PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 128 kB M4, USB, +13 dBm PRO, QFN64 wireless MCU
260:¥38.5782
520:¥36.4199
1,040:¥35.8888
参考库存:30523
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V
50:¥2,004.5974
参考库存:30526
无线和射频半导体
射频放大器 .05-4GHz NF 2.2dBmax -40C +85C
3,000:¥10.2943
6,000:¥9.9101
9,000:¥9.5259
参考库存:30529
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥530.7384
参考库存:30532
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3-PLL Clk Syn IND
2,500:¥59.2459
参考库存:30535
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